三安半導體獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元
2月2日，三安光電發(fā)布公告稱，全資子公司湖南三安半導體有限責任公司（以下簡稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。
公告顯示，根據(jù)三安光電與長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂的《項目投資建設合同》，長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會同意按合同約定撥付湖南三安產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。湖南三安已于2021年1 月29日收到該筆款項。
湖南三安半導體有限責任公司業(yè)務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造、及服務。湖南長沙三安項目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，依托全產(chǎn)業(yè)鏈及大規(guī)模生產(chǎn)布局將使得公司節(jié)能芯片產(chǎn)品具有高性能、低成本、高可靠性等市場領先競爭優(yōu)勢。
2021年1月19日，湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房順利完成封頂，此次封頂標志著這座湖南省境內(nèi)的首個第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目（一期）Ⅰ標段完成全面封頂，預計該項目在2021年中有望實現(xiàn)全面投產(chǎn)。
責任編輯：xj
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