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毫米波GaN技術(shù)的最新消息

iIeQ_mwrfnet ? 來(lái)源:搜狐網(wǎng) ? 作者:搜狐網(wǎng) ? 2020-09-13 09:35 ? 次閱讀
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美國(guó)軍事研究人員正在要求位于加利福尼亞州馬里布的HRL實(shí)驗(yàn)室的集成電路專(zhuān)家改進(jìn)用于航空航天和國(guó)防應(yīng)用的射頻微波電路。

位于弗吉尼亞州阿靈頓的美國(guó)國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)官員周二宣布,對(duì)HRL進(jìn)行一項(xiàng)840萬(wàn)美元的合同修改,以用于毫米波GaN成熟(MGM)計(jì)劃的第二階段。

該計(jì)劃旨在改善射頻和微波半導(dǎo)體技術(shù),以提高器件產(chǎn)量,減少工藝周期時(shí)間,并在多項(xiàng)目晶圓加工(MPW)中展示關(guān)鍵的毫米波功率放大器和混合信號(hào)電路。

米高梅公司正在利用標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估電路(SEC),制程控制監(jiān)視器(PCM)和短循環(huán)制造技術(shù)來(lái)確定戰(zhàn)略上的產(chǎn)量和可重復(fù)性,以識(shí)別制程步驟的改進(jìn)。

在該項(xiàng)目的第一階段,HRL專(zhuān)家開(kāi)始使他們的RF和毫米波氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體技術(shù)成熟,這在十年前的DARPA Nitride Electronics NeXt生成技術(shù)(NEXT)計(jì)劃中得到了證明。

該項(xiàng)目第二階段的目標(biāo)是減少制造周期,提高RF產(chǎn)量和可靠性,改善器件模型和工藝設(shè)計(jì)套件以及提高GaN毫米波電路的制造準(zhǔn)備水平(MRL)。

HRL專(zhuān)家將通過(guò)有針對(duì)性的工藝步驟改進(jìn)來(lái)使這種GaN技術(shù)成熟。他們將使用制程控制監(jiān)視器;進(jìn)行多個(gè)MPW運(yùn)行;并改善該公司位于加州馬里布的工廠的單片微波集成電路(MMIC)設(shè)計(jì)能力。

作為DARPA NEXT計(jì)劃的執(zhí)行者,HRL開(kāi)發(fā)了最先進(jìn)的GaN晶體管,其柵長(zhǎng)為40納米,標(biāo)定ft/ fmax為200/400 GHz。

NEXT計(jì)劃尋求開(kāi)發(fā)一種革命性的氮化物晶體管技術(shù),該技術(shù)在至少1,000個(gè)晶體管的大規(guī)模電路集成中,具有大于5 THz的Johnson Johnson Merit(JFoM)極高速度和高電壓擺幅。

該項(xiàng)目尋求開(kāi)發(fā)可制造,高產(chǎn)量,高均勻性和高度可靠的制造工藝。該計(jì)劃的重點(diǎn)是展示將這些器件組合成一個(gè)由約10個(gè)晶體管組成的小型邏輯電路,然后再處理多達(dá)1,000個(gè)晶體管的能力。

在MGM項(xiàng)目的第一階段,HRL更新了設(shè)計(jì)套件以支持多種計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)工具,支持多項(xiàng)目搖床運(yùn)行,并減少了總體制造周期,以支持美國(guó)軍方用戶。

這項(xiàng)合同修改使MGM合同的總價(jià)值達(dá)到了1,880萬(wàn)美元。HRL專(zhuān)家將在加利福尼亞州馬里布市進(jìn)行這項(xiàng)工作,并應(yīng)在2022年9月之前完成。

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原文標(biāo)題:美研發(fā)新型毫米波GaN技術(shù)

文章出處:【微信號(hào):mwrfnet,微信公眾號(hào):微波射頻網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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