我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲（而不是隨時間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-26 08:30:13
MSP430G 系列處理器是一款低成本16 位處理器，其并不具備 EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了 256 字節(jié)的 Flash 空間作為信息
2019-10-18 09:00:50
當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用
非易失的
存儲器來運行軟件以及采集
數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
上表顯示的STK11C68 / HSB引腳前頁的框圖，但引腳從來沒有提到的地方，或顯示在引腳說明。是否存在AN/HSB引腳？9頁提到的自動存儲，但文件意味著芯片沒有自動存儲功能。芯片是否有自動存儲
2019-02-14 15:04:53
保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來源：什么是基于閃存平臺的存儲管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而，閃存常見
2019-07-31 08:17:49
與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲的高性價比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。
2019-09-03 07:22:10
器件提供非易失性存儲10年的數(shù)據(jù)保留時間在一部分功率需要熟悉FLASH和EEPROM的替代品。利用現(xiàn)有的FRAM存儲器和MCU器件，工程師可以自信地建立這些強(qiáng)大的設(shè)備進(jìn)入低功耗能量收集應(yīng)用程序，操作數(shù)年并保持長期的數(shù)據(jù)（盡管間歇性電源損耗）。`
2016-02-25 16:25:49
，比較是否一致，一致則計數(shù)”。然后重復(fù)測N次得到非易失性的有效讀寫次數(shù)。但是又不能直接拿STM32的引腳來驅(qū)動FRAM芯片的VCC，又不能老是手動斷電上電這么來測，這下有點找不準(zhǔn)方向了。想知道論壇里面各位大神有沒有什么好的測試方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
有哪位大神知道什么型號芯片是存儲數(shù)據(jù)不易丟失，而且容量大于400MB的Flash存儲器芯片啊？很著急哈，想找一個這個芯片，可以與51單片機(jī)的某一個型號有相應(yīng)的接口連接……求大神們知道哈……
2013-01-29 10:18:45
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而
2019-06-26 07:11:05
低功耗應(yīng)用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)，從而可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計。
2019-07-08 06:03:16
：TI MSP430FR59xx MCU建立在超低功耗“Wolverine”技術(shù)平臺基礎(chǔ)之上，采用非易失性FRAM替代EEPROM或閃存提供高穩(wěn)健統(tǒng)一存儲器架構(gòu)，可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計目前已經(jīng)出現(xiàn)了大量強(qiáng)制
2014-09-01 17:44:09
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
的非易失性存儲器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-23 08:31:04
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
寫入FRAM的零時鐘周期延遲 一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間，以將其頁面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當(dāng)需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時，會導(dǎo)致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
隨機(jī)存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
一定空間用于存儲應(yīng)用代碼、非易失性數(shù)據(jù)和配置信息。EEPROM往往是開發(fā)人員最先、最常考慮用于嵌入式系統(tǒng)的存儲器件。在嵌入式應(yīng)用中，這類非易失性存儲器通常用于存儲系統(tǒng)配置參數(shù)。例如，連接至CAN總線網(wǎng)
2021-12-22 07:33:16
數(shù)據(jù)嗎？ 不會。FRAM 是一款非易失性存儲器，即使在斷電后也可保持其中的數(shù)據(jù)。 與可在個人計算機(jī)、工作站和非手持游戲控制臺（例如 PlayStation 和 Xbox）的大型（主）存儲器中使用的常用
2018-08-20 09:11:18
是否可以在比特流的開頭保留一些固定的地址空間來存儲一些易失性用戶數(shù)據(jù)（例如，一些用戶參數(shù)等）？我有Spansion閃存memorys25fl256，它在地址空間的底部有32個快速可擦除的4k字節(jié)塊
2020-08-11 07:12:06
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲
2019-07-23 06:15:10
具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后，里面存儲
2022-02-11 07:51:30
存儲器分類按不同分類標(biāo)準(zhǔn)可作不同的分類。按存儲介質(zhì)不同可分為半導(dǎo)體存儲器（易失或非易失）、磁表面存儲器（非易....
2021-07-26 06:22:47
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集，面向各種感應(yīng)和測量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè)，結(jié)合大量低功耗模式，可以延長
2021-11-03 07:28:04
的通信? NFC 配置和數(shù)據(jù)讀回? 多種傳感器選項- 溫度 (TMP112)- 環(huán)境光線 (OPT3001)- 濕度 + 溫度 (HDC1000)? 多達(dá) 64 KB 的非易失性 FRAM 存儲器? 數(shù)據(jù)是使用 RTC 標(biāo)記的日期/時間
2018-09-10 09:20:29
上。此設(shè)計工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進(jìn)而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測量2.9uA 待機(jī)電流非易失性片上 FRAM 實時存儲支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監(jiān)視器此終端設(shè)備設(shè)計已經(jīng)過測試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南
2018-08-23 12:08:52
”。 鐵電存儲器就是利用了這種非易失性。 雖然EEPROM或閃存也會根據(jù)元件內(nèi)的存儲區(qū)域是否有電荷來記憶數(shù)據(jù)，但FRAM是根據(jù)極化的方向來記憶數(shù)據(jù)的，所以兩者具有不同的記憶方式。 FRAM的特長FRAM
2020-05-07 15:56:37
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲器，它沒有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數(shù)低的缺點,同時其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
)；而NVRAM的價格問題又限制了它的普及應(yīng)用。因此，工程人員在設(shè)計電能表的存儲模塊時，往往要花很大的精力來完善方案，才能使電表數(shù)據(jù)準(zhǔn)確無誤的寫入存儲器中。由于所有的非易失性記憶體均源自ROM技術(shù)。你能
2014-04-25 11:05:59
時就會產(chǎn)生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動）即使在不加置電場的情況下，也能保持電極。兩個穩(wěn)定的狀態(tài)以“0”或“1”的形式存儲。存儲器分類中的FRAM* 非易失性：即使沒有上電，也可以保存所存儲
2014-06-19 15:49:33
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:50
4172 
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲器，它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166108 器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）芯片，由262，144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
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