李時(shí)榮聲稱(chēng)，“客戶(hù)對(duì)代工企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求，而4
nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3
nm工藝及明年2
nm工藝的
量產(chǎn)，并積極與潛在客戶(hù)協(xié)商?！?/div>
2024-03-21 15:51:43
85 薄膜電容在電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，其性能穩(wěn)定的關(guān)鍵在于優(yōu)質(zhì)薄膜材料、薄膜的適當(dāng)厚度和均勻性，以及先進(jìn)的制造工藝。這些因素共同保證了薄膜電容的高性能和穩(wěn)定性，為電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供重要保障。
2024-03-12 16:40:07102 
該聯(lián)合項(xiàng)目將構(gòu)建在印度古吉拉特邦的Dholera，總投資為9100億盧比，月產(chǎn)量預(yù)期可達(dá)5萬(wàn)片晶圓。該廠(chǎng)工藝涵蓋28nm、40納米至90nm等多個(gè)成熟節(jié)點(diǎn)，且與力積電的戰(zhàn)略合作將提供綜合性的技術(shù)供給。
2024-03-01 16:32:26228 德國(guó)羅德與施瓦茨ESPI3、ESCI3測(cè)試接收機(jī)ESCI7品 牌：德國(guó)羅德與施瓦茨 | R&S | Rohde&Schwarz處于預(yù)認(rèn)證級(jí)別的 R&S ESPI3測(cè)試接收機(jī)有
2024-02-24 13:57:35
梯隊(duì)的廠(chǎng)商們還在成熟工藝上穩(wěn)扎穩(wěn)打。 ? 早在兩年前，我們還會(huì)將28nm視作成熟工藝以及先進(jìn)工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出，以及即將到來(lái)的2nm，成熟工藝的定義已經(jīng)發(fā)生了變化，分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠(chǎng)不愿投入的7nm/8nm工藝
2024-02-21 00:17:002598 
位四核RISC-VCPU，采用28nm工藝，工作頻率1.5GHz。JH-7110擁有極佳的PPA平衡，提供工業(yè)場(chǎng)景所需豐富接口，滿(mǎn)足工業(yè)寬溫要求，并且已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，
2024-02-19 12:09:21244 
在熊本縣菊陽(yáng)町，臺(tái)積電、索尼和日本電裝聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一個(gè)12英寸晶圓加工基地，該基地應(yīng)用12nm、16nm和22nm至28nm技術(shù)，預(yù)計(jì)月底建成。此外，其量產(chǎn)時(shí)間已定為2024年第四期。
2024-01-30 09:38:35332 目前，臺(tái)積電已完成與日本的一項(xiàng)聯(lián)合建設(shè)晶圓廠(chǎng)協(xié)議，預(yù)計(jì)在今年2月24日舉行投產(chǎn)慶典。日本的這處晶圓廠(chǎng)使用12nm、16nm、22nm及28nm等先進(jìn)制程工藝，自啟動(dòng)以來(lái)進(jìn)展順利，引來(lái)業(yè)界廣泛關(guān)注。
2024-01-29 14:00:42178 根據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)融媒體中心報(bào)道，江蘇路芯半導(dǎo)體科技有限公司，由業(yè)界頂級(jí)企業(yè)與金融巨頭聯(lián)合創(chuàng)立，主要研發(fā)和生產(chǎn)低至28nm，高端至45nm甚至更高節(jié)點(diǎn)的掩膜版，產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)規(guī)模居于行業(yè)前列。
2024-01-24 14:33:48379 計(jì)劃與國(guó)內(nèi)通信企業(yè)展開(kāi)深度合作。
其FPGA從55/40nm進(jìn)入主流28nm工藝平臺(tái)，在器件性能和容量上也都有較大的提升，相應(yīng)地對(duì)FPGA編譯軟件和IP也提高了要求，28nm器件預(yù)計(jì)在2020年批量供應(yīng)。
2024-01-24 10:46:50
，該型號(hào)產(chǎn)品去年全年銷(xiāo)售額近1億元。
今年3月，紫光同創(chuàng)推出Logos-2系列高性?xún)r(jià)比FPGA，采用28nm CMOS工藝，相較上一代40nm Logos系列FPGA性能提升50%，總功耗降低40%，可
2024-01-24 10:45:40
涂布模頭全面國(guó)產(chǎn)替代的關(guān)鍵在于“從有到優(yōu)”。
2024-01-23 10:22:11231 
在28nm以下，最大器件長(zhǎng)度限制意味著模擬設(shè)計(jì)者通常需要串聯(lián)多個(gè)短長(zhǎng)度MOSFET來(lái)創(chuàng)建長(zhǎng)溝道器件。
2024-01-15 17:33:02661 
這座晶圓廠(chǎng)于2022年4月開(kāi)始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個(gè)變種，專(zhuān)用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 紫光同創(chuàng)PG2L200H關(guān)鍵特性開(kāi)發(fā)板/盤(pán)古200K開(kāi)發(fā)板開(kāi)箱教程！
盤(pán)古200K采用紫光同創(chuàng)28nm工藝Logos2系列芯片：PG2L200H-6IFBB484）；PG2L200H和DDR3之間
2023-12-28 15:26:19
紫光同創(chuàng)PG2L100H關(guān)鍵特性開(kāi)發(fā)板/盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板開(kāi)箱教程！
紫光同創(chuàng)28nm工藝的Logos2系列:PG2L100H-6IFBG484，PG2L100H和DDR3之間的數(shù)據(jù)交互時(shí)鐘頻率最高
2023-12-28 15:17:43
年開(kāi)始量產(chǎn)。 根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱(chēng)為 A14。IT之家注意到，目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體
2023-12-18 15:13:18191 受美國(guó)對(duì)高端設(shè)備出口限制影響，中國(guó)大陸轉(zhuǎn)向成熟制程（28納米及以上）領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2027年在此類(lèi)制程上產(chǎn)能達(dá)到39%。
2023-12-15 14:56:35337 據(jù)悉，JASM為臺(tái)積電、索尼及豐田旗下電裝公司的三方合資企業(yè)，主要負(fù)責(zé)經(jīng)營(yíng)日本熊本的芯片工廠(chǎng)。未來(lái)，工廠(chǎng)將采用22/28nm、12/16nm FinFET制程工藝，預(yù)估月產(chǎn)能高達(dá)5.5萬(wàn)片300mm晶圓。
2023-12-15 14:22:16183 TB-RK3399Pro
Starfive Visionfire 2
Khadas VIM3
芯片型號(hào)
飛騰E2000Q SMIC 14nm
瑞芯微RK3399 TSMC 28nm
瑞芯微RK3399Pro
2023-12-14 23:33:28
1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:00733 SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示，臺(tái)積電1.4nm制程的正式名稱(chēng)為A14。截至目前，關(guān)于該節(jié)點(diǎn)的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫未公開(kāi)。但是，根據(jù)其與N2及N2P等節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)排期預(yù)測(cè)，我們預(yù)期A(yíng)14節(jié)點(diǎn)將會(huì)在2027至2028年度面市。
2023-12-14 10:27:23195 羅德與施瓦茨CMW100通信制造測(cè)試儀（CMW100手機(jī)綜測(cè)儀）是用于校準(zhǔn)和驗(yàn)證移動(dòng)電話(huà)的潮流新品，適用于5G手機(jī)研發(fā)與生產(chǎn)制造，是目前國(guó)內(nèi)各大手機(jī)生產(chǎn)廠(chǎng)以及研發(fā)企業(yè)的測(cè)試首選產(chǎn)品。羅德與施瓦茨
2023-12-07 14:00:15
3nm工藝剛量產(chǎn)，業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了，并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠(chǎng)來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn)，同樣也考驗(yàn)著EDA公司，以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)芯片的客戶(hù)。
2023-12-06 09:09:55693 如前所述，修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來(lái)建立圖片與圖片的關(guān)系。
2023-12-01 10:59:55427 
羅德與施瓦茨 FSV13 是一款速度極快且多功能的信號(hào)和頻譜分析儀，適用于從事射頻系統(tǒng)開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、安裝和維修工作的注重性能、注重成本的用戶(hù)。在開(kāi)發(fā)應(yīng)用中，羅德與施瓦茨 FSV13 憑借其出色的射頻
2023-12-01 10:04:34
日本正積極與臺(tái)積電等公司合作，幫助其振興本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。目前臺(tái)積電在熊本建廠(chǎng)計(jì)劃，與索尼、日本電裝合資，原計(jì)劃一廠(chǎng)將采用22/28nm制程，隨后推進(jìn)到12/16nm，預(yù)計(jì)2024年底開(kāi)始量產(chǎn)。2025年開(kāi)始獲利。
2023-11-22 17:52:19723 FSP40Rohde&Schwarz FSP40 40G頻譜分析儀|羅德與施瓦茨|R&S|9KHz至40GHz德國(guó)羅德與施瓦茨(ROHDE/SCHWARZ)羅德與施瓦茨FSP40全新
2023-11-16 13:58:00
掩膜成本就是采用不同的制程工藝所花費(fèi)的成本，像40/28nm的工藝已經(jīng)非常成熟，40nm低功耗工藝的掩膜成本為200萬(wàn)美元；28nm SOI工藝為400萬(wàn)美元；28nm HKMG成本為600萬(wàn)美元。
2023-11-06 18:03:291591 2023~2027年全球晶圓代工成熟制程（28nm及以上）及先進(jìn)制程（16nm及以下）產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國(guó)大陸由于致力推動(dòng)本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國(guó)大陸成熟制程產(chǎn)能
2023-11-02 09:58:23304 
? ? ? ?在臺(tái)積電的法人說(shuō)明會(huì)上據(jù)臺(tái)積電總裁魏哲家透露臺(tái)積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片。 目前，臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝; 臺(tái)灣新竹寶山、高雄兩座工廠(chǎng)的2nm芯片計(jì)劃2024年試產(chǎn)
2023-10-20 12:06:23930 可以容納更多的晶體管在同樣的芯片面積上，從而提供更高的集成度和處理能力。此外，較小的節(jié)點(diǎn)尺寸還可以降低電路的功耗，提供更高的能效?？梢哉f(shuō)，2nm芯片代表了制程工藝的最新進(jìn)展和技術(shù)創(chuàng)新。 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn) 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)這
2023-10-19 16:59:161958 MCU發(fā)展趨勢(shì)
性能：主頻普遍在 30~200MHz；外設(shè)更 加豐富，性能更高，功 耗更低、安全性更強(qiáng)。
工藝：從最初的0.5微米，進(jìn)步到了主流的90nm、55nm，有的廠(chǎng)商還用了28nm。
2023-10-18 16:07:34
2 第二工廠(chǎng)計(jì)劃2027年開(kāi)始量產(chǎn)。 目前臺(tái)積電位于日本九州熊本縣菊陽(yáng)町的第一座晶圓廠(chǎng)已于2022年4月開(kāi)工，目標(biāo)是2024年底開(kāi)始量產(chǎn)22~28nm制程的芯片。
2023-10-16 16:20:02785 CBT32R&S CBT/CBT32 藍(lán)牙測(cè)試儀支持 Bluetoo生產(chǎn)商：羅德與施瓦茨?Rohde-Schwarz Inc(R&S)產(chǎn)品說(shuō)明：羅德與施瓦茨公司（Rohde &
2023-10-13 17:59:00
俄羅斯政府制定了新的微電子發(fā)展計(jì)劃的初步版本，到2030年需要約3.19萬(wàn)億盧布（384.3億美元）的投資。這筆錢(qián)將用于本土半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)開(kāi)發(fā)、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施開(kāi)發(fā)、培養(yǎng)當(dāng)?shù)厝瞬?、自主半?dǎo)體和解決方案營(yíng)銷(xiāo)等方面。
2023-10-12 11:20:32501 據(jù)悉，臺(tái)積電第一個(gè)3nm制程節(jié)點(diǎn)N3于去年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，強(qiáng)化版3nm（N3E）制程預(yù)計(jì)今年下半年量產(chǎn)，之后還會(huì)有3nm的延伸制程，共計(jì)將有5個(gè)制程，包括：N3、N3E、N3P、N3S以及N3X。
2023-09-26 17:00:43823 100K開(kāi)發(fā)板可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)評(píng)估，滿(mǎn)足多方位的開(kāi)發(fā)需求。
盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板(紫光同創(chuàng)PG2L100H關(guān)鍵特性開(kāi)發(fā)板)采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA作為主控芯片_logos2系列
2023-09-19 11:13:12
板載芯片：該平臺(tái)板載了Xilinx 28nm工藝的Artix-7系列FPGA芯片，型號(hào)為XC7A35T-1CSG324C。
2023-09-17 15:06:073128 
?首搭國(guó)內(nèi)首款自研車(chē)規(guī)級(jí)7nm量產(chǎn)芯片“龍鷹一號(hào)”，魅族車(chē)機(jī)系統(tǒng)首發(fā)上車(chē)。
2023-09-14 16:12:30484 ROHDE & SCHWARZ NRX 功率計(jì) 羅德與施瓦茨 NRX 功率計(jì)同時(shí)支持多達(dá)四個(gè) R&S 功率傳感器，并在靈活的可配置屏幕上清晰地顯示結(jié)果?；谟|摸屏的用戶(hù)界面
2023-09-14 09:59:45
公開(kāi)的資料顯示，蘇大維格他致力于微納關(guān)鍵技術(shù)，柔性智能制造、柔性光電子材料的創(chuàng)新應(yīng)用，涉及微納光學(xué)印材、納米印刷、3D成像材料、平板顯示（大尺寸電容觸控屏，超薄導(dǎo)光板）、高端智能微納裝備（納米壓印、微納直寫(xiě)光刻、3D光場(chǎng)打印等）的開(kāi)發(fā)和技術(shù)產(chǎn)業(yè)化
2023-09-11 11:45:593530 公開(kāi)的資料顯示，蘇大維格他致力于微納關(guān)鍵技術(shù)，柔性智能制造創(chuàng)新，柔性光電子材料的應(yīng)用，相關(guān)若干或光學(xué)印刷材料、納米印刷、3d影像材料平板顯示器（大尺寸電容觸控屏，超薄導(dǎo)光板）、高級(jí)智能麥克風(fēng)，裝備
2023-09-08 11:32:371749 本人使用MS51XB9AE,請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有支持量產(chǎn)的下載工具？就是把芯片燒錄好后再貼片，官方或者第三方的都行，有沒(méi)有推薦？
官網(wǎng)那個(gè)量產(chǎn)燒錄器好像不支持8051??？NuGang，沒(méi)找到MS51XB9AE，適配插座也沒(méi)有QFN20的
2023-09-01 07:43:24
FSP40Rohde&Schwarz FSP40 40G頻譜分析儀|羅德與施瓦茨|R&S|9KHz至40GHz德國(guó)羅德與施瓦茨(ROHDE/SCHWARZ)羅德與施瓦茨FSP40全新的FSP產(chǎn)品
2023-08-28 18:00:56
，調(diào)動(dòng)800人首次南北同步，沖刺在中國(guó)臺(tái)灣新竹寶山與高雄廠(chǎng)同步試產(chǎn)及量產(chǎn)。 臺(tái)積電原先規(guī)劃在高雄建立兩座廠(chǎng)，包括7nm及28nm廠(chǎng)，但為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求調(diào)整，目前高雄廠(chǎng)確定導(dǎo)入先進(jìn)的2nm制程。 產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài) 2、消息稱(chēng)蘋(píng)果 iPhone 15 系列支持有線(xiàn) 35W 充電 根據(jù)國(guó)外
2023-08-18 16:50:02362 
R&S 羅德與施瓦茨FSP7頻譜分析儀FSP7是羅德與施瓦茨FSP系列頻譜分析儀，該系列是研發(fā)和生產(chǎn)的理想幫手，具有良好的電平測(cè)量不確定度和出色射頻特性。 R&S? FSP 采用成熟的技術(shù)，提供性能
2023-08-17 17:08:17
芯片制造商瑞薩電子推出的處理器，它采用了28nm HKMG工藝，擁有八個(gè)ARM Cortex-A53內(nèi)核，并集成了ARM Mali-T860 MP2 GPU。而驍龍665則是由美國(guó)芯片制造商高通公司推出
2023-08-15 16:43:59788 羅德與施瓦茨FSQ8信號(hào)分析儀 羅德FSQ8系列信號(hào)分析儀適用于開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)測(cè)量。它提供了非常低的相位噪聲，無(wú)與倫比的低殘差EVM，一個(gè)寬的動(dòng)態(tài)范圍和高于平均水平的精度，使其成為開(kāi)發(fā)
2023-08-14 12:00:19
100K開(kāi)發(fā)板可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)評(píng)估，滿(mǎn)足多方位的開(kāi)發(fā)需求。
盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板詳情
1.產(chǎn)品概述
盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板(紫光同創(chuàng)PG2L100H關(guān)鍵特性開(kāi)發(fā)板)采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA作為
2023-08-11 11:40:32
值得關(guān)注的是，中國(guó)大陸仍在持續(xù)掀起ddi熱潮。在貿(mào)易緊張高漲之際，成熟芯片已成為中國(guó)大陸關(guān)注的焦點(diǎn)。目前，中、高級(jí)ddi采用28納米工藝制作。但業(yè)內(nèi)專(zhuān)家認(rèn)為，中國(guó)大陸的28納米生產(chǎn)沒(méi)有達(dá)到預(yù)期的順利。還有報(bào)道稱(chēng)，生產(chǎn)能力有限。中國(guó)大陸面臨著價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，但擴(kuò)張速度已經(jīng)放緩。
2023-08-08 11:50:38547 彭博社的分析師表示：輸出芯片和高速接口是關(guān)鍵的增長(zhǎng)領(lǐng)域。驅(qū)動(dòng)裝置（ic）和同一電腦有關(guān)半導(dǎo)體的需求正在減少，盡管李工廠(chǎng)汽車(chē)及智能邊緣裝置的普及，在28nm 180nm對(duì)現(xiàn)有工程的芯片訂單增加，產(chǎn)能利用率將會(huì)提高。
2023-08-07 09:30:05312 喜報(bào)！我國(guó)第一臺(tái)28nm光刻機(jī)，交付時(shí)間已定！
2023-08-02 16:54:41965 
連接器制造的關(guān)鍵在于精密性和可靠性，以確保連接器能夠適應(yīng)多種場(chǎng)景。其中連接器的制造工藝起到了非常重要的作用。
2023-07-31 14:47:51167 或許你會(huì)疑惑一個(gè)晶體管怎么做成振蕩電路的？可是它就是只有一個(gè)晶體管，關(guān)鍵在于電路中用到一個(gè)自閃爍的LED。
2023-07-26 17:00:39445 
據(jù)臺(tái)媒援引消息人士報(bào)道，由于需要應(yīng)對(duì) AI 浪潮，臺(tái)積電將改變高雄建廠(chǎng)計(jì)劃，計(jì)劃由原先的“成熟制程”更改為更先進(jìn)的 2nm 制程，預(yù)計(jì) 2025 年下半年量產(chǎn)，且相關(guān)建廠(chǎng)規(guī)劃也將在近期宣布。
2023-07-22 16:32:55888 一篇拆解報(bào)告，稱(chēng)比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:571012 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。
2023-07-20 11:20:001124 
晶圓產(chǎn)業(yè)目前正面臨著產(chǎn)能過(guò)剩的問(wèn)題，臺(tái)積電也無(wú)法免俗。原計(jì)劃建設(shè)一個(gè)28納米的晶圓廠(chǎng)，但由于市場(chǎng)需求減少，這個(gè)計(jì)劃被取消了。
2023-07-18 15:53:04447 據(jù)了解，臺(tái)積電已將高雄廠(chǎng)敲定2nm計(jì)劃向經(jīng)濟(jì)部及高雄市政府提報(bào)，希望政府協(xié)助后續(xù)供水及供電作業(yè)。因2nm制程將采用更耗電的極紫外光（ＥＵＶ）微影設(shè)備，耗電量比位于南科的3nm更大，臺(tái)積電高雄廠(chǎng)改為直接切入2nm計(jì)劃，是否得重做環(huán)境影響差異分析，將成各界關(guān)注焦點(diǎn)。
2023-07-18 15:19:48682 
一立方VOC釋放量環(huán)境測(cè)試箱-GAG高格科技儀器前言：高格科技儀器設(shè)備專(zhuān)注生產(chǎn)定制各類(lèi)甲醛VOC環(huán)境試驗(yàn)箱：甲醛釋放量氣候箱、兩艙四艙六艙甲醛預(yù)處理艙、VOC釋放量環(huán)境測(cè)試箱等。設(shè)備主要用途：用于
2023-07-17 15:48:23
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個(gè)主要問(wèn)題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2023-07-12 16:24:232882 
電池保護(hù)IC（Integrated Circuit）的納米工藝并沒(méi)有固定的規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)。電池保護(hù)IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣，采用從較大的微米級(jí)工藝（如180nm、90nm、65nm等）逐漸進(jìn)化到更先進(jìn)的納米級(jí)工藝（如45nm、28nm、14nm等）。
2023-07-11 15:42:371171 
IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030 IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392 IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200 IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070 IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130 IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141 IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:460 中國(guó)晶圓代工廠(chǎng)28nm市場(chǎng)，發(fā)展速度迅速。
2023-07-05 18:16:58585 
示日本工廠(chǎng)將以日本客戶(hù)為中心，預(yù)計(jì)將有持續(xù)且旺盛的需求。據(jù)此前消息，該工廠(chǎng)規(guī)劃生產(chǎn)22/28nm以及12/16nm芯片，月產(chǎn)能目標(biāo)為5.5萬(wàn)片晶圓。臺(tái)積電在發(fā)布會(huì)上強(qiáng)調(diào)，2nm制程工藝（N2）研發(fā)順利，能夠按照此前目標(biāo)于2025年量產(chǎn)。此外，張曉強(qiáng)還表示，256M
2023-07-03 10:49:13731 外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開(kāi)始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開(kāi)始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開(kāi)始量產(chǎn)汽車(chē)所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 中，該提案正在荷蘭政府進(jìn)行審查。 ? 2. 28nm 改40nm ？印度要求鴻海Vedanta 合資晶圓廠(chǎng)重提申請(qǐng) ? 據(jù)報(bào)道，鴻海集團(tuán)
2023-06-30 11:08:59934 
隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷發(fā)展（現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來(lái)越高，規(guī)模也越來(lái)越大
2023-06-29 15:24:111741 
跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-06-15 08:57:31
紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L100H關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板#小眼睛FPGA盤(pán)古系列開(kāi)發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)28nm工藝的Logos2系列PG2L100H芯片，掛載2片16bit數(shù)據(jù)位寬
2023-06-12 18:02:28
的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專(zhuān)家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國(guó)際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117913 Spartan-7依然延續(xù)了28nm工藝，更加鞏固了Xilinx在28nm的領(lǐng)導(dǎo)地位
2023-05-30 09:02:161651 
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
最近，泰科天潤(rùn)董事長(zhǎng)陳彤表示，國(guó)內(nèi)SiC單項(xiàng)目突破100萬(wàn)片的關(guān)鍵在于成本，即“碳化硅器件成本僅為硅器件的2倍”。
2023-05-24 17:01:35698 
%。西安二廠(chǎng)預(yù)計(jì)將生產(chǎn)13.5萬(wàn)片，比之前的14.5萬(wàn)片減少了約7%。業(yè)界觀(guān)察人士認(rèn)為，三星選擇砍掉部分NAND產(chǎn)能，因?yàn)楫?dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)形勢(shì)慘淡。
【臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！】
4月消息，由于
2023-05-10 10:54:09
808nm 激光二極管 TO56封裝 500mW
XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07
Rosenberger羅森伯格 LTE2600M互調(diào)儀 便攜式互調(diào)儀為了滿(mǎn)足客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量互調(diào)失真的需求，羅森伯格推出了一款小型、高集成度、便攜式無(wú)源互調(diào)分析儀，它能夠快速地在線(xiàn)測(cè)量連接器
2023-04-28 11:47:24
。 陳其邁前一日被問(wèn)到臺(tái)積電延后28納米量產(chǎn)目標(biāo)時(shí)，表示市府尊重臺(tái)積電建廠(chǎng)進(jìn)度，相關(guān)布局與市場(chǎng)考量，會(huì)積極給予協(xié)助。受訪(fǎng)時(shí)重申，機(jī)會(huì)是留給準(zhǔn)備好的人，針對(duì)臺(tái)積電投資計(jì)劃，市府會(huì)協(xié)助周遭應(yīng)辦事項(xiàng)，全力配合。 中國(guó)臺(tái)灣高層王美花
2023-04-19 15:10:47852 至28nm。創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)使英飛凌進(jìn)一步突破了支付卡技術(shù)工藝的極限。借此，該產(chǎn)品還為各大區(qū)域市場(chǎng)的支付生態(tài)系統(tǒng)提供一個(gè)可靠采購(gòu)選項(xiàng)的最新技術(shù)。新產(chǎn)品系列在市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品中是首款將領(lǐng)先的 28 nm芯片技術(shù)應(yīng)用于嵌入式非易失性存儲(chǔ)器的產(chǎn)品。其旨在緩解支付行業(yè)在成熟技術(shù)節(jié)點(diǎn)遇到的半導(dǎo)體短缺問(wèn)題。
2023-04-04 14:16:18755 
出售 羅德 SMB100A 矢量信號(hào)發(fā)生器 型號(hào)：羅德與施瓦茨 SMB100A、SMBV100A、SMU200A 矢量信號(hào)發(fā)生器羅德與施瓦茨 SMB100A特點(diǎn):.靈活的頻率
2023-03-30 13:52:17
摩爾定律在制造端的提升已經(jīng)逼近極限，開(kāi)始逐步將重心轉(zhuǎn)向封裝端和 設(shè)計(jì)端。隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場(chǎng)景的爆發(fā)，對(duì)算力的需求更加旺盛， 芯片的性能要求也在不斷提高，業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展，TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:49:351544 隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場(chǎng)景的爆發(fā)，對(duì)算力的需求更加旺盛， 芯片的性能要求也在不斷提高，業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展，TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:48:15892 
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