摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
898 
原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng)，提供原子級(jí)控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士 分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝
2021-02-08 10:53:006590 
單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場(chǎng)進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場(chǎng)多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:001235 ）已經(jīng)越來越看好150mm晶圓的產(chǎn)品應(yīng)用前景。其子公司W(wǎng)olfspeed（位于美國(guó)三角研究園）作為SiC功率MOSFET器件制造商，更是“下注”2023年SiC器件的可用市場(chǎng)總額（TAM）將迅速增長(zhǎng)到50
2019-05-12 23:04:07
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
。但是任重道遠(yuǎn)。目前
晶圓制造，
核心技術(shù)，依然牢牢的把握在外國(guó)晶圓廠家的手里。我國(guó)對(duì)外國(guó)
晶圓的依賴性還非常之大。甚至普通消費(fèi)者對(duì)外國(guó)電子產(chǎn)品的依賴性也相當(dāng)大，認(rèn)為外國(guó)的月亮比中國(guó)的
圓。這也是全球
晶圓緊缺，中國(guó)電子數(shù)碼市場(chǎng)首當(dāng)其沖，強(qiáng)烈起伏的原因；也是外國(guó)在電子數(shù)碼領(lǐng)域?qū)ξ覀冇枞∮枨蟮脑?/div>
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本階段：晶圓制造（材料準(zhǔn)備、長(zhǎng)晶與制備晶圓）、積體電路制作，以及封裝。晶圓制造過程簡(jiǎn)要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圓制造的基礎(chǔ)知識(shí)，適合入門。
2014-06-11 19:26:35
本人想了解下晶圓制造會(huì)用到哪些生產(chǎn)輔材或生產(chǎn)耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圓的制造過程是怎樣的？
2021-06-18 07:55:24
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級(jí)三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
薄膜的純度作者:愛特斯薄膜的純度與所蒸發(fā)純度依賴于一下三個(gè)方面：一是源材料的純度；二是加熱裝置、蒸發(fā)舟以及支撐材料的污染；三是真空系統(tǒng)中的殘余氣體。在沉淀過程中，蒸發(fā)物，包括原子和分子，連同殘余氣體
2016-12-08 11:08:43
CPU制造流程CPU制造全過程第1頁：由沙到晶圓，CPU誕生全過程 沙中含有25%的硅，是地殼中第二多元素，在經(jīng)過
2009-09-22 08:16:03
到一塊玻璃板上。4.[IC制造] IC制造是指在單晶硅片上制作集成電路芯片，其流程主要有蝕刻、氧化、擴(kuò)散/離子植入、化學(xué)氣相沉積薄膜和金屬濺鍍。擁有上述功能的公司一般被稱為晶圓代工廠。5.[IC測(cè)試
2019-01-02 16:28:35
。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對(duì)各膜層檢查以及厚度的測(cè)量檢測(cè)工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對(duì)樣品表面起到保護(hù)作用，還能根據(jù)其
2017-06-29 14:16:04
。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對(duì)各膜層檢查以及厚度的測(cè)量檢測(cè)工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對(duì)樣品表面起到保護(hù)作用，還能根據(jù)其
2017-06-29 14:20:28
。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對(duì)各膜層檢查以及厚度的測(cè)量檢測(cè)工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對(duì)樣品表面起到保護(hù)作用，還能根據(jù)其
2017-06-29 14:24:02
、晶圓、光刻、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測(cè)試與切割、核心封裝、等級(jí)測(cè)試、包裝上市等基本步驟。硅熔煉成硅錠：通過多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅，學(xué)名電子級(jí)硅(EGS)，平均每一百萬
2017-05-04 21:25:46
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
半導(dǎo)體器件需要高度完美的晶體。但是即使使用了最成熟的技術(shù)，完美的晶體還是得不到的。不完美，就稱為晶體缺陷，會(huì)產(chǎn)生不均勻的二氧化硅膜生長(zhǎng)、差的外延膜沉積、晶圓里不均勻的摻雜層，以及其他問題而導(dǎo)致工藝
2018-07-04 16:46:41
，以便能在上面印制第一層。這一重要步驟通常被稱為 "沉積"。隨著芯片變得越來越小，在晶圓上印制圖案變得更加復(fù)雜。沉積、刻蝕和光刻技術(shù)的進(jìn)步是讓芯片不斷變小，從而推動(dòng)摩爾定律不斷延續(xù)
2022-04-08 15:12:41
，我們將采用穿硅通孔（TSV）用于晶圓級(jí)堆疊器件的互連。該技術(shù)基本工藝為高密度鎢填充穿硅通孔，通孔尺寸從1μm到3μm。用金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積（MOCVD）淀積一層TiN薄膜作為籽晶層，隨后同樣也采用
2011-12-02 11:55:33
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
`晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成獨(dú)立
2011-12-01 13:54:00
平行于靶表面的封閉磁場(chǎng)，和靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，實(shí)現(xiàn)高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜?；瘜W(xué)機(jī)械研磨機(jī)晶圓制造中，隨著制程技術(shù)
2018-09-03 09:31:49
的材料，依面積大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直徑）等規(guī)格之分。一根八寸硅晶棒重量約一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圓后，送至八寸晶圓廠內(nèi)制造芯片電路（Die），這些芯片電路再經(jīng)封裝測(cè)試
2020-02-17 12:20:00
該資料包含了晶圓制造、薄膜沉積、光刻、腐蝕等內(nèi)容，圖文并茂，淺顯易懂，真是居家旅行的必備啊。
2014-05-17 14:09:40
Pressure CVD；LPCVD)為進(jìn)行50片或更多晶圓之批次量產(chǎn)，爐管內(nèi)之晶圓勢(shì)必要垂直密集地豎放于晶舟上，這明顯產(chǎn)生沉積薄膜之厚度均勻性問題；因?yàn)槠桨暹吔?b class="flag-6" style="color: red">層問題的假設(shè)已不合適，化學(xué)蒸汽在經(jīng)過第一片晶
2012-09-28 14:01:04
「輸送現(xiàn)象」(transport phenomena) 的應(yīng)用。常壓化學(xué)氣相沉積速度頗快，但成長(zhǎng)薄膜的質(zhì)地較為松散。另外，如果晶圓不采用水平擺放的方式 (太浪費(fèi)空間)，薄膜之厚度均勻性
2012-09-16 20:22:12
「輸送現(xiàn)象」(transport phenomena) 的應(yīng)用。常壓化學(xué)氣相沉積速度頗快，但成長(zhǎng)薄膜的質(zhì)地較為松散。另外，如果晶圓不采用水平擺放的方式 (太浪費(fèi)空間)，薄膜之厚度均勻性
2012-10-07 23:23:19
(Low Pressure CVD；LPCVD) 為進(jìn)行50片或更多晶圓之批次量產(chǎn)，爐管內(nèi)之晶圓勢(shì)必要垂直密集地豎放于晶舟上，這明顯產(chǎn)生沉積薄膜之厚度均勻性問題；因?yàn)槠桨暹吔?b class="flag-6" style="color: red">層問題的假設(shè)已不
2011-09-23 14:41:42
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
前段生產(chǎn)工藝找出缺陷產(chǎn)生點(diǎn)，通過調(diào)整工藝解決產(chǎn)品缺陷。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對(duì)各膜層檢查以及厚度的測(cè)量檢測(cè)工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)
2017-06-28 16:40:31
前段生產(chǎn)工藝找出缺陷產(chǎn)生點(diǎn)，通過調(diào)整工藝解決產(chǎn)品缺陷。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對(duì)各膜層檢查以及厚度的測(cè)量檢測(cè)工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)
2017-06-28 16:50:34
點(diǎn)，通過調(diào)整工藝解決產(chǎn)品缺陷。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對(duì)各膜層檢查以及厚度的測(cè)量檢測(cè)工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對(duì)樣品
2017-06-28 16:45:34
解決產(chǎn)品缺陷。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對(duì)各膜層檢查以及厚度的測(cè)量檢測(cè)工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對(duì)樣品表面起到保護(hù)作用
2017-06-29 14:08:35
薄膜太陽能電池也是現(xiàn)在發(fā)展的比較好一點(diǎn)的電池，下面給大家分享四種薄膜太陽能電池，大家可以對(duì)比一下看看哪一種最好。1.非晶硅。非晶硅薄膜是太陽能電池核心原材料之一，也稱微晶硅。按照材料的不同，當(dāng)前硅
2016-01-29 15:46:43
作者：ADI公司 Dust Networks產(chǎn)品部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理 Ross Yu，遠(yuǎn)程辦公設(shè)施經(jīng)理 Enrique Aceves問題 對(duì)半導(dǎo)體晶圓制造至關(guān)重要的是細(xì)致、準(zhǔn)確地沉積多層化學(xué)材料，以形成
2019-07-24 06:54:12
一層選擇性CVD鈷覆蓋膜，改善接觸界面，進(jìn)而提高器件的可靠性可達(dá)到80倍。鈷薄膜沉積突破了導(dǎo)線互聯(lián)技術(shù)傳統(tǒng)瓶頸全新PVD沉積系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高成本效益的3D芯片垂直集成與Endura Volta CVD
2014-07-12 17:17:04
對(duì)半導(dǎo)體晶圓制造至關(guān)重要的是細(xì)致、準(zhǔn)確地沉積多層化學(xué)材料，以形成數(shù)千、數(shù)百萬甚至在有些情況下是數(shù) 10 億個(gè)晶體管，構(gòu)成各種各樣復(fù)雜的集成電路 (IC)。在制造這些 IC 的過程中，每一步都要精確
2020-05-20 07:40:09
`哪位了解LCVD激光氣相沉積設(shè)備，想買一臺(tái)用來做補(bǔ)線用。如圖，沉積出寬10um左右的金屬線。求大神指點(diǎn)！`
2014-01-17 10:36:02
（Sputter） 解離金屬電漿（淘氣鬼）物理氣相沉積技術(shù) 解離金屬電漿是最近發(fā)展出來的物理氣相沉積技術(shù)，它是在目標(biāo)區(qū)與晶圓之間，利用電漿，針對(duì)從目標(biāo)區(qū)濺擊出來的金屬原子，在其到達(dá)晶圓之前，加以離子化
2011-09-23 14:43:07
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺(tái)之一，高密度扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)0.99999999999。晶圓制造廠再將此多晶硅
2011-12-02 14:30:44
請(qǐng)問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國(guó)內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位?。?
2023-06-16 11:12:27
?。?）錫膏印刷 對(duì)于THR工藝，網(wǎng)板印刷是將焊膏沉積于PCB的首選方法。網(wǎng)板厚度是關(guān)鍵的參數(shù)，因?yàn)镻CB上的錫膏 層是網(wǎng)板開孔面積和厚度的函數(shù)。這將在本章的網(wǎng)板設(shè)計(jì)部分詳細(xì)討論。使用鋼質(zhì)刮刀以
2018-11-22 11:01:02
用脈沖激光(Nd:YAG 激光)沉積技術(shù)在硅基上沉積富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2)，沉積時(shí)氧氣壓力分別為1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，7.98Pa，膜的厚度約為300nm。隨后，在氬(Ar)氣中1000℃的溫度下對(duì)
2010-08-03 16:24:35
0 半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:416889 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展
2018-02-13 03:16:0025903 泛林集團(tuán)宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 （ALD） 工藝，標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS? 產(chǎn)品系列又添新成員。通過業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低氟鎢（LFW） ALD 工藝，ALTUS Max
2018-05-24 17:19:002398 在等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD沉積 SiO2和 SiN掩蔽層過程中!分解等離子體中濃度較高的H原子使MG受主鈍化!同時(shí)在P-GaN材料表面發(fā)生反應(yīng)形成淺施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0017 沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個(gè)非常重要的技術(shù)，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長(zhǎng)的過程。在一個(gè)新晶圓投資建設(shè)中，晶圓廠80%的投資用于購買設(shè)備。其中，薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造的核心步驟之一，占據(jù)著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:106019 
）及化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝已經(jīng)無法滿足極小尺寸下良好的臺(tái)階覆蓋要求，而控制納米級(jí)別厚度的高質(zhì)量超薄膜層制備也成為技術(shù)難點(diǎn)。 原子層沉積（ALD）是一種可以將物質(zhì)以單原子膜的形式，一層一層鍍?cè)诨妆砻娴南冗M(jìn)沉積技術(shù)。一個(gè)
2021-04-17 09:43:2116607 
業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積（ALD）、物理式真空鍍膜（PVD）和化學(xué)式真空鍍膜（CVD）等，其中ALD屬于CVD的一種，屬于當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。
2021-09-03 11:12:421149 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427 
摘要 本文的目的是建立科技鎖的技術(shù)水平，必須打開科技鎖才能將直接大氣壓等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(AP-PECVD)視為工業(yè)應(yīng)用的可行選擇?？偨Y(jié)了理解和優(yōu)化等離子體化學(xué)氣相沉積工藝的基本科學(xué)原理。回顧
2022-02-21 16:50:111900 
Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一項(xiàng)新研發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)，用于在晶圓級(jí)上從多種材料中創(chuàng)建三維微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)基于通過原子層沉積（ALD）工藝在空腔中將微米級(jí)粉末顆粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:232011 評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
薄膜沉積設(shè)備介紹
2022-06-22 15:22:1710 江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司，是一家面向全球的高端設(shè)備制造商，專注于先進(jìn)薄膜沉積裝備的開發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和服務(wù)。微導(dǎo)的業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、新能源、柔性電子和納米技術(shù)等工業(yè)領(lǐng)域。公司以原子層沉積技術(shù)為核心
2022-09-26 18:06:131228 ALD是Atomic Layer Deposition（原子層沉積）的縮寫，是通過重復(fù)進(jìn)行材料供應(yīng)（前體）和排氣，利用與基板之間的表面反應(yīng)，分步逐層沉積原子的成膜方式。
2022-10-11 10:04:001339 化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相狀態(tài)反應(yīng)物在一定溫度和氣壓下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的固態(tài)物質(zhì)沉積在襯底材料表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術(shù)。
2022-11-04 10:56:067439 由于 ALD 技術(shù)逐層生長(zhǎng)薄膜的特點(diǎn)，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性和一致性，同時(shí)可以較好她控制其制備薄膜的厚度、成分和結(jié)構(gòu)，因此被廣泛地應(yīng)用在微電子領(lǐng)域。
2022-11-07 10:43:165138 快速、高均勻性和卓越的涂層質(zhì)量——這些特性是物理氣相沉積、原子層沉積（ALD）等工藝的追求。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，總部位于芬蘭的ALD系統(tǒng)和工藝開發(fā)商Beneq和Laser Zentrum
2022-12-22 16:30:242866 現(xiàn)有的原子層沉積技術(shù)氮摻雜過程需要在氮?dú)獾入x子體的高溫條件下進(jìn)行，但是高溫環(huán)境下的薄膜生長(zhǎng)會(huì)引起電池正極和負(fù)極材料的相變和分解。雖然有研究指出低溫條件下在氨氣環(huán)境中可以實(shí)現(xiàn)氮摻雜的原子層沉積，但是同時(shí)會(huì)顯著增加氨氣尾氣處理的設(shè)備成本和維護(hù)難度以及安全風(fēng)險(xiǎn)。
2023-01-16 14:09:13644 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢(shì)。
2023-02-16 14:36:54555 濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氬(Ar)氣的真空條件下，使氬氣進(jìn)行輝光放電，這時(shí)氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)，氬離子在電場(chǎng)力的作用下加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會(huì)被濺射出來而沉積到工件表面。
2023-02-24 09:51:092595 近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）推出自主研發(fā)的12英寸低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）設(shè)備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設(shè)備多年、在半導(dǎo)體薄膜沉積領(lǐng)域取得的新突破，也是實(shí)現(xiàn)公司業(yè)務(wù)多元化增長(zhǎng)的新動(dòng)能。
2023-05-17 17:08:41831 。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲(chǔ)器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個(gè)高真空的平臺(tái)，在
2023-05-26 16:36:511751 在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:122192 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:22986 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:212038 
韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺(tái)形態(tài)的納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:03540 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487776 
該研究首次應(yīng)用紫外光輔助原子層沉積（UV-ALD）技術(shù)于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉積Al2O3薄膜在石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GFETs）中的應(yīng)用。在ALD過程中進(jìn)行5秒最佳紫外照射，導(dǎo)致在石墨烯表面上沉積出更加致密平滑的Al2O3薄膜
2023-08-16 15:52:37282 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
2023-05-25 10:18:34501 
由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:22407 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491775 在鈣鈦礦太陽能電池的生產(chǎn)工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽能電池光電轉(zhuǎn)換率的關(guān)鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術(shù)可較為便捷的制備高純度、高質(zhì)量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項(xiàng)核心技術(shù)
2023-10-10 10:15:53649 面對(duì)真空鍍膜多元的應(yīng)用市場(chǎng)，鍍膜技術(shù)的發(fā)展也從傳統(tǒng)的蒸發(fā)、電子束熱蒸發(fā)技術(shù)，相繼發(fā)展出PECVD、ALD原子層沉積技術(shù)、磁控濺射技術(shù)等等，技術(shù)地位日益凸顯。本報(bào)告嘉賓來自國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)無錫
2023-10-18 11:33:442992 
牛津儀器（Oxford Instruments）推出PlasmaPro ASP系統(tǒng)，這是其Atomfab?產(chǎn)品系列中的一款高速原子層沉積（ALD）研究系統(tǒng)。PlasmaPro ASP受益于新的專利
2023-10-23 16:20:07487 
半導(dǎo)體設(shè)備系列研究-薄膜沉積設(shè)備
2023-01-13 09:06:526 黎微明博士指出，傳統(tǒng)的PVD和CVD在鍍膜方面具有局限性。ALD技術(shù)特點(diǎn)在于可在復(fù)雜形貌上，完成原子層精度控制能力的高質(zhì)量薄膜沉積工藝。具體來看，ALD技術(shù)具有三維共形性，可廣泛適用于不同形狀的基底。
2023-11-02 17:27:05435 眾所周知，材料的宏觀性質(zhì)，例如硬度、熱和電傳輸以及光學(xué)描述符與其微觀結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)。通過改變加工參數(shù)，可以改變微結(jié)構(gòu)，從而能夠控制這些性質(zhì)。在薄膜沉積的情況下，微結(jié)構(gòu)特征，例如顆粒尺寸和它們的顆粒
2023-11-22 10:20:59214 
金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對(duì)薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對(duì)金屬薄膜沒有臺(tái)階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因?yàn)樾枰匦绿畛湓瓉矶嗑Ч钖艠O的地方，因此對(duì)薄膜的臺(tái)階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659 
在太陽能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學(xué)氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽能電池的具體問題進(jìn)行針對(duì)性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:15433 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論